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SLM2003E

200V低压驱动（dòng）芯片

样片申请

SLM2003E Datasheet

产品概（gài）述（shù）

产品特性

安规认（rèn）证

典型应用图

产品概述

SLM2003E 是一（yī）款高压（yā）、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的（de）高（gāo）压集成电（diàn）路和（hé）锁存（cún）免疫的CMOS技术可提供可靠（kào）的单芯片（piàn）驱动方案。逻辑输入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最（zuì）低支持3.3V逻辑（jí）。输出驱动器具有（yǒu）高脉冲（chōng）电流缓冲（chōng）级（jí），以减小驱动器（qì）交（jiāo）叉导通。浮动通道可用于驱动（dòng）高（gāo）边配置的（de）N型沟道（dào）功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电压可高（gāo）达200V。

产品特性

为自举（jǔ）操作设计的浮动通道

完全运行时电压高（gāo）达 200V

容许瞬（shùn）间负（fù）电压（yā），不（bú）受 dV/dt 影响

驱（qū）动电源范围从（cóng） 10V 到 18V

欠压闭锁（suǒ）

3.3V、5V 和 10V 逻辑（jí）输入兼容（róng）

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉导通逻辑（jí）

两通道（dào）间（jiān）匹（pǐ）配传输延迟

输出信号与输入信号（hào）同相

通过无铅认（rèn）证