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SLM2005E

200V低压驱动芯片

样片（piàn）申请（qǐng）

SLM2005E Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安规认证

典型应用图

产品概述

SLM2005E 是（shì）一（yī）款高压、高速的功（gōng）率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁存（cún）免（miǎn）疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片（piàn）驱动方案。逻辑（jí）输（shū）入电平与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低支持（chí）3.3V逻辑。输出（chū）驱动（dòng）器（qì）具有（yǒu）高脉冲电流缓（huǎn）冲级，以减小驱动（dòng）器交叉导通（tōng）。浮（fú）动通道可用（yòng）于驱动高（gāo）边配置的N型沟道功（gōng）率MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压可高达200V。

产品特性

为自举（jǔ）操作设计的（de）浮动通道

完全运行时电（diàn）压高（gāo）达（dá） 200V

容许瞬间负电压，不受（shòu） dV/dt 影响

驱动电源范（fàn）围从 10V 到（dào） 18V

欠压闭锁（suǒ）

3.3V、5V 和 10V 逻（luó）辑输入兼（jiān）容

驱动（dòng）电（diàn）流：1A/1.5A

防止交叉导通逻（luó）辑（jí）

两通道间匹配传输延迟

输出信号与输入信号同相

通过无铅认证