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SLM2005S

200V低压驱动芯片（piàn）

样片申请

SLM2005S Datasheet

产（chǎn）品概述（shù）

产品特性

安规认证（zhèng）

典型（xíng）应用图

产品概述

SLM2005S 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动器。采用专（zhuān）有的高压集成电（diàn）路和锁（suǒ）存免疫的（de）CMOS技术可提（tí）供可靠的（de）单芯片驱动方案。逻辑输入（rù）电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器具有高（gāo）脉（mò）冲电（diàn）流（liú）缓冲级，以减小驱（qū）动器（qì）交叉导通。浮动通道可（kě）用于驱（qū）动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高达200V。

产（chǎn）品特性

为自（zì）举操作设计的（de）浮动通道

完全运行时电压（yā）高达 200V

容许瞬间负电压，不（bú）受 dV/dt 影响（xiǎng）

驱（qū）动（dòng）电源范围从 10V 到 20V

欠（qiàn）压闭（bì）锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容（róng）

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉导通逻辑（jí）

两通（tōng）道间匹配（pèi）传输延迟

输出信号与输入信号同相（xiàng）

通过无铅认证