SLM27511器（qì）件是单（dān）通道高速低边门极驱动（dòng）器，可有效驱（qū）动MOSFET和IGBT等功率开（kāi）关。SLM27511采用一种能够从内部极大的降低（dī）直（zhí）通电流的设计，将高峰值的源电流和（hé）灌电流脉（mò）冲提供给（gěi）电容（róng）负载，以实现轨（guǐ）到轨的驱动能力和典（diǎn）型值仅为 18ns 的极小传播（bō）延（yán）迟。
SLM27511在12V的VDD供电（diàn）情况下，能够（gòu）提供4A的（de）峰值源电流和5A的峰值灌电流。
低成（chéng）本的门极驱动方案可用（yòng）于替代（dài） NPN和（hé） PNP 分离器件方案
4A 的（de）峰值源电流和5A的（de）峰值灌电流（liú）能力
快速（sù）的传输延时（典型值为（wéi） 18ns）
快速的上升（shēng）和下降（jiàng）时间（典（diǎn）型值为 7ns/5ns）
4.5V 到（dào） 20V 的单电源范围
VDD 欠压（yā）闭锁功（gōng）能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈（yù）值
双输入设计(可选择反相或非反相驱动配（pèi）置（zhì）)
输入浮空（kōng）时输出保持为低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提（tí）供 SOT23-6 的封装（zhuāng）选项
400 080 9938
