SiLM27519 器件是单通道（dào）高速低边（biān）门极驱动（dòng）器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开关。SiLM27519 采用（yòng）一种能够从内（nèi）部（bù）极大的降低直通电流的设计，将高峰值的源电流和灌（guàn）电流脉冲提供（gòng）给电容负载（zǎi），以实现轨到轨（guǐ）的（de）驱动（dòng）能力（lì）和典型值仅为 18ns 的极小传（chuán）播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况下（xià），能够提供 4A 的峰值（zhí）源电流和 5A 的（de）峰值灌电流。
低成本（běn）的门极驱动（dòng）方（fāng）案可用（yòng）于替代 NPN 和（hé） PNP 分离器件方案
4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能力（lì）
快速的（de）传输延时（典型值为 18ns）
快速的（de）上升和下降时间（典型（xíng）值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的（de）单电源范围
VDD 欠压闭锁（suǒ）功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值
双输入设计(可选择（zé）反相或非反相驱动配置)
输入浮空时（shí）输（shū）出保（bǎo）持为低（dī）
工作温度（dù）范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的封（fēng）装选项
400 080 9938
