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SiLM27511H

单（dān）通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动（dòng）器

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SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产（chǎn）品（pǐn）概述

产品特性（xìng）

安规（guī）认证

典型应用图

产品概述

SiLM27511H系列是单（dān）通道高欠压保护（hù）低边门极驱动器，可有效（xiào）驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27511H 采用（yòng）一种能够从内部极（jí）大的降低直（zhí）通（tōng）电（diàn）流的设计，将（jiāng）高（gāo）峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容（róng）负载（zǎi），以实（shí）现轨到轨的驱动能力和（hé）典型值仅（jǐn）为 18ns 的极小传播延迟（chí）。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够（gòu）提供 4A 的峰值源（yuán）电流和 5A 的峰值灌电（diàn）流。SiLM27511H 欠压锁（suǒ）定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低成本的（de）门极驱动方（fāng）案（àn）可用于替代 NPN和 PNP 分（fèn）离器件方案

4A的峰值源电（diàn）流和 5A 的峰值（zhí）灌电流能力

快速的传播延时（典型值为 18ns）

快（kuài）速（sù）的上升和下降时间（典型值为（wéi） 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围（wéi）

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和（hé） CMOS 的输（shū）入逻辑电压阈值（zhí）

双输入设（shè）计(可选择反相或非反相驱动（dòng）配置（zhì）)

输（shū）入（rù）浮空时输出保持为低

工作温度范（fàn）围为（wéi） -40°C 到（dào） 140°C