SiLM27512器件是单通道高速低（dī）边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开（kāi）关。SiLM27512采用一种能够（gòu）从内部极（jí）大（dà）的降低直通电流的设计（jì），将高峰值的源电（diàn）流和灌电流脉（mò）冲提供给电容负载，以实（shí）现轨到轨的驱（qū）动（dòng）能力和典型（xíng）值仅为（wéi） 18ns 的极小传播延迟（chí）。
SiLM27512在12V的VDD供电（diàn）情况下，能够提供4A的峰值源电流和（hé）5A的峰值灌（guàn）电流。
低成本的门极（jí）驱动（dòng）方（fāng）案可用于替代（dài） NPN和 PNP 分（fèn）离器件方案
4A 的峰值（zhí）源电（diàn）流和5A的峰值灌电流能力
快速的传输延时（典型（xíng）值为 18ns）
快速的上升（shēng）和下降（jiàng）时（shí）间（jiān）（典型（xíng）值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电（diàn）压阈值
双输（shū）入（rù）设计(可选择反相（xiàng）或非反相驱（qū）动配置)
输入（rù）浮空时输出保持为（wéi）低（dī）
工作温度范围（wéi）为 -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封（fēng）装选项
400 080 9938
